日米政府、対米投資の第3弾は「半導体製造プロジェクト」　投資額は1.6兆円　車載向けなどレガシー品も製造

政府は10月15日、日米関税協議に基づく対米投融資案件で初となる「半導体製造プロジェクト」を進めることで両国が合意したと発表した。ニューヨーク州に建設する工場で、自動車や産業機械、人工知能（AI）データセンターなど幅広い分野に用いる「成熟ノード」（レガシープロセス）の半導体を製造する。製造装置・部素材の供給や製品の購入で複数の日本企業が参画を検討している。

投資の意義を語る赤澤亮正経済産業相

日米関税交渉で合意した5500億ドル（約87兆円）の対米投融資の第3弾として、米半導体受託生産大手グローバルファウンドリーズ（GF）の工場建設事業を選んだ。事業総額は100億ドル（約1.6兆円）規模。2026年内に着工し、29年の稼働開始を見込む。今後の増設により、事業総額は約210億ドル（3.3兆円）まで拡大する可能性がある。

生産するのは、量産技術が確立した回路線幅2桁ナノメートルなどの半導体で、車載用センサーやバッテリーマネジメントなど自動車向けにも多く使われる。ルネサスエレクトロニクスが製品の製造委託、東京エレクトロンなどが製造装置の供給に興味を示しているという。

赤澤亮正経済産業相は「日米で半導体の供給能力の拡大を進めることは、両国の経済安全保障や経済成長の促進に意義がある」と述べた。

対米投融資では、今回の案件も含め計7件、1190億ドル（約18兆8000億円）の事業で合意している。