政府は、先端半導体の国内における生産拠点の整備や研究開発支援を強化する。すでに支援しているラピダス（小池淳義社長、東京都千代田区）に加え、次世代車などへの搭載を想定する先端メモリーやロジック半導体なども対象とする。必要な法整備を検討し、来年の通常国会で成立を目指す。日本企業が一定のシェアを握るパワー半導体に関しては、国内での連携や再編をさらに推進し、競争力を維持していく方針だ。

　このほど開いた「半導体・デジタル産業戦略検討会議」でこうした方針を示した。

　政府として、低消費電力で大容量の先端メモリー半導体の量産拠点確立を支援する。アーキテクチャー（構造）レベルの最適設計支援など、技術開発面でも支援する。先端ロジック半導体と先端半導体の後工程も支援対象とし、国内外の需要動向を踏まえた上で必要な取り組みを検討する。

　２７年度に２㌨㍍（１㌨は１０億分の１）の次世代半導体の量産を目指すラピダスに対しては、量産化に向けた政府支援を行うための新たな枠組みを検討し、法制度も整える。

　電気自動車（ＥＶ）シフトとともに需要増が見込まれるパワー半導体では、日本企業同士の連携や協業体制の構築を促す。パワー半導体の領域では、デンソーと富士電機、ロームと東芝Ｄ＆Ｓの協業に対し、補助金をすでに手当てしている。半導体の生産に欠かせないＳｉ（シリコン）・ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板についても、材料の確保に向けたサプライチェーン（供給網）の強靭化を図る考えだ。

先端半導体の量産に向けた支援を強化する

カテゴリー	白書・意見書・刊行物
対象者	自動車業界

日刊自動車新聞12月25日掲載