堀場製作所は１７日、「２０１８堀場雅夫賞」の授賞式を京都大学（京都市左京区）で開いた。本年度は「半導体製造プロセスにおける先端分析計測技術」がテーマで、国内２５件と海外１１件の応募の中から、堀場雅夫賞３人と特別賞１人を選出した。

堀場雅夫賞は将来性のある研究を進める若手研究者が対象で、今年が１５回目。

堀場雅夫賞は、京大大学院工学研究科航空宇宙工学専攻助教授の占部継一郎氏の「レーザー干渉計によるプラズマ電子密度計測の高速・高精度化」と、名古屋大学大学院工学研究科プラズマナノ工学研究センター助教授の堤隆嘉氏の「高精度半導体プラズマプロセスのための基板温度計測システムの開発」、産業技術総合研究所の太陽光発電研究センター主任研究員の布村正太氏の「半導体プラズマプロセス中の薄膜材料の欠陥検出」。特別賞は独ルール大学ボーフムのプラズマ・原子物理学科上席研究員のツァンコ・ヴァスコフ・ツァンコフ氏の「イオンの速度分布関数による非侵襲的プラズマ特性解析」だった。

授賞式で、堀場厚会長兼グループＣＥＯは「半導体は今や生活に欠かせない存在だ。高精度な半導体を早く開発するには科学の基本である計測・分析技術が必須だと再認識した。今後も将来性のある研究への理解を深めてもらえるよう、賞を発展させていく」と挨拶した。
受賞記念セミナーも開催し、大学研究者や企業の技術者ら１２０人が来場した。

日刊自動車新聞10月24日掲載